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高电压源测量单元 2300
产品特性
  • 高电压输出范围(3000 V @ 20 mA,1500 V @ 120 mA)
  • 具备高精度、快速响应、灵活控制且易于操作的产品特性
  • 提供四象限电压/电流输出能力,加速研发、产线测试及环境可靠性测试流程
  • 专为功率半导体器件分析与测试而设计,尤其适用于 Si / SiC MOSFET 及 IGBT 的参数测试
技术参数

电压源

电压测量
量程 设定分辨率 精度(% + 偏置) 设定分辨率 精度(% + 偏置)
200V

5mV

±(0.03%+50mV) 100uV ±(0.05%+100mV)

500V

10mV ±(0.03%+125mV) 100uV ±(0.05%+200mV)
1500V 40mV ±(0.03%+375mV)

1mV

±(0.05%+600mV)
3000V 80mV ±(0.03%+750mV)

1mV

±(0.05%+1.2V)

 

 

电流源(输出)

电流测量
量程 设定分辨率 精度(% + 偏置) 设定分辨率 精度(% + 偏置)
1nA

30fA

±(0.1%+2E–12+Vo×1e–15) 1fA ±(0.1% + 1e–12 + Vo×5e–15)
10nA 300fA

±(0.1%+5E–12+Vo×1e–15)

10fA ±(0.1% + 4e–12 + Vo×5e–15)
100nA 3pA ±(0.1%+6E–11+Vo×1e–13)

100fA

±(0.1% + 7e–13 + Vo×1e–15)
1uA 30pA ±(0.03%+700 pA)

1pA

±(0.08%+800 pA)
10uA 300pA ±(0.03%+5 nA)

10pA

±(0.08%+3 nA)
100uA 3nA ±(0.03%+60 nA)

100pA

±(0.05%+50 nA)
1mA 30nA ±(0.03%+300 nA)

1nA

±(0.05%+400 nA)
2mA 60nA ±(0.03%+1.2 µA)

1nA

±(0.05%+1 µA)
20mA 600nA ±(0.03%+12 µA)

10nA

±(0.05%+10 µA)
120mA 3uA ±(0.03%+36 µA)

10nA

±(0.05%+50 µA)
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